时间：2024-02-03 07:03:12 来源：江南体育网页版 已有 1 人关注
本报天津1月7日电 （记者武少民）记者近来从天津大学得悉：天津大学天津纳米颗粒与纳米体系世界研讨中心的马雷教授研讨团队研讨效果《碳化硅上成长的超高迁移率半导体外延石墨烯》，成功霸占长期以来阻止石墨烯电子学开展的要害技能难题，翻开了石墨烯带隙。这一打破被认为是敞开石墨烯芯片制作范畴大门的重要里程碑。该项效果已在《天然》杂志网站上在线发布。
据马雷介绍，石墨烯是首个被发现可在室温下安稳存在的二维资料，其具有共同的狄拉克锥能带结构，导致了“零带隙”特性，而“零带隙”特性正是困扰石墨烯研讨者数十年的难题，怎么翻开带隙更是敞开“石墨烯电子学”大门的“要害钥匙”。研讨团队经过对外延石墨烯成长进程的准确调控，成功地在石墨烯中引入了带隙，发明了一种新式安稳的半导体石墨烯。
据悉，在该项打破性研讨中，具有带隙的半导体石墨烯为高性能电子器件带来了全新的资料挑选。这种半导体的开展不仅为逾越传统硅基技能的高性能电子器件拓荒了新路途，还为整个半导体职业注入了新动力。
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